FGA25N120ANTD提供开关和导通损耗之间最佳的性能权衡,并降低IH(电磁加热)应用的工作温度飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)的FGA25N120ANTD1200VNPT沟道IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟
FGA25N120ANTD提供
开关和导通损耗之间最佳的性能权衡,并降低IH (电磁加热)应用的工作温度
飞兆半导体公司 (
Fairchild Sem
iconductor) 的FGA25N120ANTD
1200V NPT沟道 IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热 (IH) 应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和
其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达
10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型 (NPT) 技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
飞兆半导体功能
功率部副总裁Taehoon Kim称：“在电磁加热设备中,不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况,导致机器瞬间失效。为了解决IH应用中的这些可靠性问题,我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界最佳的抗雪崩能力,还同时优化性能方面的权衡,以降低工作温度及提升总体系统效率。”
FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：
? 低饱和电压 (VCE(
sat),
typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以限制导通损耗;
? 低开关损耗 (Eoff, typ = 0.96mJ @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以减少系统功耗;以及
? 内置
FRD (快速恢复
二极管) 以简化电路设计和减少元件数。
FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货,能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-
STD-
020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
