IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列
IR的集成HVIC技术实现了完备的保护功能,与基于光耦或变压器的
分立元件方案相比,可减少电路面积一半
全球领先的功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源SMPS和不间断电源UPS。
IR中国及香港销售总监严国富指出：采用IR高压IC技术开发的新型栅极驱动及传感IC实现了在微小电路上整合过去只有高端设备才具备的完备功能,如接地失效保护等。这一新器件将为低端工业应用和伺服驱动,以及其他必须严格控制成本的电器开辟了崭新的开发路径。
采用IGBT或MOSFET进行功率转换,必须对短路、过流和接地错误等进行保护。为完成保护功能,除了保护电路之外,还必须对错误状态通过传感元件进行检测。IR此次发布的驱动IC和传感IC满足了上述要求,同时减少了使用元件的数量,简化了电路。
适宜工业应用的1200V HVIC
共有5款采用IR的HVIC技术开发的1200V栅极驱动器。
IR22381是一款模拟三相IGBT栅极驱动器。死区时间仅为0.5微秒,比类似的光耦驱动器快十倍。IR22381还大幅减少了温度漂移以及器件性能随时间而发生的变化。
集成退饱和功能提供了所有的过流保护模式,包括接地、穿通和相间短路保护。过流状态可触发软关断,随即关断所有六路输出。器件带有一个关断输入,可用来定制关断功能。IR22381还带有可编程死区时间,输出驱动器带有独立的开通和关断管脚,并具备两级输出开通,以获得需要的IGBT dv/dt开关水平。电压反馈提供了精确测量,自举电源功能省却了对辅助电源的需要。
