微型mSerDes器件可将电磁干扰降低40dB
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微型mSerDes器件可将电磁干扰降低40dB  2012/3/1
微型mSerDes器件可将电磁干扰降低40dB为解决便携和消费电子产品在应用中由于产品功能聚合而引致复杂性不断增加的设计难题,飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出了名为mSerDes的创新微型串化器/解串器系列产品FIN12和FIN24。飞兆半导体亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮介绍说,mSerDes器件可使便携产品的待机功耗较其它解决方案降低10倍左右(待机功耗为纳安级、有效功率为毫安级),而功耗往往是影响电池寿命和手机通话时间的关
  微型mSerDes器件可将电磁干扰降低40dB为解决便携和消费电子产品在应用中由于产品功能聚合而引致复杂性不断增加的设计难题,飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor)推出了名为mSerDes的创新微型串化器/解串器系列产品FIN12和FIN24
飞兆半导体亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮介绍说,mSerDes器件可使便携产品的待机功耗较其它解决方案降低10倍左右(待机功耗为纳安级、有效功率为毫安级),而功耗往往是影响电池寿命和手机通话时间的关键参数。 mSerDes 器件还能将传统的多数据并行传输缩减为2线高速串行传输,从而将互连导线数减少6至7倍,该串行链路使用创新的EMI抑制技术来实现,有助于用户产品更快获得电磁兼容 (EMC) 管理系统认可。FIN12和FIN24器件可在基频下将电磁干扰降低30 dB~40dB,并将棘手的谐波干扰减小到100dBm以下,以获得更好的EMC性能。这些创新的改进都是通过串化结构的革新以及两项新型差分I/O技术、低功耗LVDS (LpLVDS) 和电流转换逻辑 (CTL) 来实现的,与传统的I/O技术相比可实现更低的功耗和电磁干扰。这种高度灵活的接口方案可在多种显示平台上方便地实施,能够缩短产品开发周期和加速产品上市。mSerDes还可减少元件总数和所需的电路板面积,协助优化手机、数码相机、打印机及其它对空间敏感应用的尺寸和成本。

除此之外,mSerDes器件的特点还包括,串化数据速率高达780Mbps,能显著降低电缆信号衰减,单向接口大于25:4,双向接口大于50:7,具有更大的灵活性,可提供12、22、24位器件,可支持像素或微控制器接口,使用powerup/down 信号可将IC配制成串化或解串器等等 。
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