采用双管正激拓扑构建高性能模块电源
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置: 首页 > 电子技术
采用双管正激拓扑构建高性能模块电源  2012/3/1
采用双管正激拓扑构建高性能模块电源Two-SwitchForwardTopologyPowerSupplyModuleMaxim电源部尚庆明引言高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成为当前模块电源技术发展的关键驱动力。双管正激电路是实现这些要求的实用电路之一,被广泛应用在中、高功率电源设计中。本文简要介绍了双管正激电路的工作原理及优点,同时详细介绍了应用于双管正激电路的PWM控制器MAX5051的功能和具体的实验结果。双管正激转换器图1双管正激转换器和工作波
 

采用双管正激拓扑构建高性能模块电源
Two-Switch Forward Topology Power Supply Module
Maxim电源部  尚庆明
引言
功率密度、高效率以及小外型尺寸已成为当前模块电源技术发展的关键驱动力。双管正激电路是实现这些要求的实用电路之一,被广泛应用在中、高功率电源设计中。本文简要介绍了双管正激电路的工作原理及优点,同时详细介绍了应用于双管正激电路的PWM控制器MAX5051的功能和具体的实验结果。

双管正激转换器


图1  双管正激转换器和工作波形
双管正激变换器的原理图与波形如图1所示。双管正激变换器的工作可以分为三个过程:能量转移阶段、变压器磁复位阶段和死区阶段。在能量转移阶段,原边的两个开关都导通,能量从输入端向输出端转移。在变压器磁复位阶段,原边的两个二极管都导通,使变压器绕组承受反相输入电压,从而实现变压器磁复位。当变压器完全复位后,变换器工作在死区阶段,即原边无电流、副边续流。在复位过程中,双管正激开关MOSFET被箝位在输入电压。MOSFET上的电压应力小于单管正激,至少低一倍。这样我们可选取具有低导通电阻Rdson的低电压MOSFET,以获得低损耗。
双管正激电路运行非常稳定,受到设计人员的广泛关注,并给予了较高评价。由于原边的两个开关不是使用图腾柱结构,它们同时导通,这就解决了击穿问题。对于半桥和全桥变换器来说,原边开关使用图腾柱结构,一旦由于电磁噪音或电磁辐射引起两个开关同时导通,电路将受到破坏性的中断。这个问题对于受高能量辐射影响的电源来说至关重要,而双管正激电路可以避免这个问题。

基于MAX5051的参考设计
MAX5051是一款钳位式、双开关电源控制器IC。这款控制芯片可应用于正激或反激结构,输入电压范围是11V至76V。它针对各种可能的故障提供全面的保护机制,实现高度可靠的电源。当与副边同步整流器配合工作时,电源效率很容易达到92% (+3.3V输出电源,工作于48V总线);集成的高侧和低侧栅极驱动器可为两个外部N沟道MOSFET提供峰值在2A以上的栅极驱动电流;低启动电流降低了启动电阻上的功率损耗;带有前馈控制的电压模式控制方案可提供优异的线路抑制,同时又避免了传统的电流模式控制方案的缺陷。

与《采用双管正激拓扑构建高性能模块电源》相关列表
电话:400-900-3095
QQ:800152669
库存查询
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ:800152669  电子邮件:sales@szcwdz.com  电话:400-900-3095