日本德州仪器耐压30V的新模拟工艺技术将投入量产
日本德州仪器（日本TI）日前就模拟IC量产中采用的新工艺技术“LBC7”召开了一场记者说明会。LBC7是一种能够集成耐压30V的LDMOS（laterally diffused MOS）的双极CMOS技术,相当于现有双极CMOS技术“LBC6”（可集成耐压18V的LDMOS）的后续技术。今后,美国德州仪器公司（TI）将运用LBC7,在2005年下半年至2006年陆续投产最大耐压达数10V的电源IC、硬盘等马达驱动IC与伺服驱动IC,以及车用半导体产品等。LBC7的生产线位于日本茨城县美浦工厂。
与LBC6相比,LBC7对特性及制造技术等都进行了改进。首先,将LDMOS的导通电阻减小了15～20％。比如,Vdss为30V时导通电阻约为0.1mΩ·cm2,比耐压特性相同的同类晶体管低20％左右。LBC7使用的模拟CMOS技术的设计工艺为0.25μm,与0.5μm工艺的LBC6技术相比,能够缩小外部逻辑电路的封装面积。据称每个芯片的封装面积可减小40％左右。芯片集成的容量与电阻的封装密度的提高也有助于削减芯片面积。比如,容量密度由最大1.4fF/μm2提高至最大8fF/μm2,电阻密度由最大1100Ω提高至最大230kΩ。
日本TI还宣布,采用LBC7的首款量产品将是输入电压范围增大至+3.1V～+17V的DC-DC转换器电源IC“TPS62110”（7月26日TI公司的发布资料,TPS62110的商品页面）。在集成电源控制用功率MOSFET的情况下,封装尺寸仅为4mm×4mm。开关频率最高可达1MHz。（记者：堀切 近史）
