世界领先的半导体设计软件供应商新思科技有限公司今天宣布其已经和中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际(NYSE:SMI;SEHK:0981.HK)共同开发出了基于0.13微米工艺的设计参考流程2.0。中芯国际和新思科技紧密合作,完成了从RTL到GDSII的设计流程。该流程基于新思科技的Galaxy(TM)设计平台和中芯国际先进的0.13微米工艺,不仅解决了在0.13微米工艺设计中遇到的深亚微米设计挑战,并且缩短了产品上市时间和良率达成时间。中芯国际和新思科技参
世界领先的半导体设计软件供应商新思科技有限公司今天宣布其已经和中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际 (NYSE:
SMI; SEHK: 0981.HK) 共同开发出了基于 0.13微米工艺的设计参考流程2.0。中芯国际和新思科技紧密合作,完成了从
RTL 到 GD
SII 的设计流程。该流程基于新思科技的 Galaxy(TM) 设计平台和中芯国际先进的0.13 微米工艺,不仅解决了在0.13微米工艺设计中遇到的深亚微米设计挑战,并且缩短了产品上市时间和良率达成时间。
中芯国际和新思科技参考流程2.0的新增功能中包含了 JupiterXT(TM) 设计布局解决方案。特别是,该方案的
电源网络综合 (PNS) 与电源网络分析 (
PNA) 能力使得在布局阶段就可进行电源规划设计。应用了新思科技的 PrimeTime(R) SI,
Astro-Xtalk(TM) 和 Astro-Rail(TM) 等工具,该参考流程还具有先进的信号完整性 (SI) 和集成电路可靠性 (
IR/
EM) 的分析能力。这些功能解决了电迁移 (EM) 所带来的时序和可靠性问题,避免了通常易出现的电源栅格和
电阻增加所导致的电压下降 (IR-drop) 和对地反弹等问题。最后,该流程还引入了电压下降的分析,使得用户可分析其对于时序、性能、功能、抗干扰性能的影响,并能够对
IC 的可靠性进行分析,从而找到不同问题的折中方案。
“中芯国际自
2004年上半年开始为全球客户提供0.13微米
CMOS 量产工艺。参考流程2.0更进一步提供给客户完整的、验证过的设计方案,包括了先进的布局、信号完整性失效和集成电路可靠性的分析,对0.13 微米工艺的设计具有重要意义。” 中芯国际设计服务处副总裁欧阳雄（Paul Ouyang）介绍,”参考流程2.0的开发是建立在第一个版本的成功与合作的基础上。我们期待在工艺持续发展的过程中和新思科技 持续保持愉快的合作关系。”
