飞兆半导体的高压SuperFET产品在降低总成本的同时可以优化系统效率和可靠性
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飞兆半导体的高压SuperFET产品在降低总成本的同时可以优化系统效率和可靠性  2012/3/1
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出8款新型高压SuperFET™MOSFET器件,专为高效的高压、快速电能转换应用而设计,例如有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。SuperFET技术通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt),确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET系列也具有很高的额定重复性雪崩特性,比同类方案高出一个数量
 

飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor) 推出8款新型高压SuperFET™ MOSFET器件,专为高效的高压、快速电能转换应用而设计,例如有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。

SuperFET技术通过降低RDS(ON)  和栅极电荷 (Qg) 来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt),确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET系列也具有很高的额定重复性雪崩特性,比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为 ±30 V (比竞争器件高50%),使得SuperFET器件具备更佳的耐用性,在高压应用时更加可靠。

飞兆半导体功率分立器件部电源和工业功率应用市务经理JongMin Na表示:“随着标准MOSFET耐压的提升,RDS(ON) 大幅度上升,并导致裸片尺寸增加,为设计者带来了困难。飞兆半导体全新的SuperFET技术将耐压与RDS(ON) 的关系从指数关系转为线性关系,让600V器件获得极好的RDS(ON)  值和较小的裸片尺寸,从而提高终端应用的效率。”

SuperFET技术提供的高可靠性对瞬态的应用是一个特别重要的优势,比如高强度放电 (HID) 照明镇流器和等离子显示 (PDP) 电视的供电电源等。SuperFET所提供的低导通损耗对于照明设备制造商尤其重要,因为他们正不断寻求可满足PFC要求的高效设计方案。同样地,一些高端应用如等离子电视的AC/DC电源等亦要求通过高可靠性和高效率来降低其系统成本。举例说,在电源应用中,SuperFET极低的导通阻抗可减少功率损耗,让设计者毋需使用昂贵的冷却系统,并节省设计空间。SuperFET的低门电荷也使得它们易于驱动,以较低的开关损耗来提高效率。

飞兆半导体的功率专家The Power Franchise® 策略通过提供一套完整的相辅相成的产品,包括PFC控制器、PWM控制器和光隔离放大器等,与先进的SuperFET系列相配合实现总体的系统解决方案。例如,SuperFET可配合飞兆半导体的FAN7527B器件,成为面向镇流器应用具备成本优势的PFC控制器,与FAN4822 ZVS PFC 控制器或 FAN4810 PFC控制器配合使用,能够增强400W以上设备的性能。

先进的SuperFET也可与飞兆半导体新的 FAN7380/FAN7382半桥驱动器IC结合使用,显著提高镇流器设计的效率。除了广泛的产品组合外,飞兆半导体还具备覆盖全球的功率设计实验室和在线设计工具,协助设计者实现产品快速推出市场同时降低总成本。这些在线设计工具包括PFC指导教程、电源设计工具套件和FETBench产品选择工具 (/acdc)。

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