9_12V的中、高电压系统往往需要下列的1个或多个电路功能：热变换控制,电路断路器失效保护和侵入电流限制。在图1电路中无R4可为负载（C1和R2）提供侵入电流限制和可靠的电路断路器功能。这仍然只包含1个P沟道MOSFET、1个热交换控制器IC和两个任选电阻器（R1和R3）。在MOSFET漏极增加R4（小值电阻器）可提供可调节断路点并改善工作温度范围内的精度。对于热交换应用,根据一般的9V/ms栅板驱动转换率,U1限制侵入电流。侵入电流由下式给
9_12V的中、高电压系统往往需要下列的1个或多个电路功能：热变换控制,电路断路器失效保护和侵入
电流限制。在图1电路中无R4可为负载（
C1和
R2）提供侵入电流限制和可靠的电路断路器功能。这仍然只包含1个P沟道
MOSFET、1个热交换控制器
IC和两个任选
电阻器（R1和R3）。在MOSFET漏极增加R4（小值电阻器）可提供可调节断路点并改善工作温度范围内的精度。
对于热交换应用,根据一般的9V/
ms栅板驱动转换率,U1限制侵入电流。侵入电流由下式给出：
I=（C×dv）/
dt=C×SR
其中C表示负载
电容,SR为U1设置的转换率（通常为（V/ms）。对于
100μF的负载电容,IC限制侵入电流大约为0.9A。
U1的电路断路器功能用内部比较器和MOSFET导通电阻RDSC
ON来感测失效条件。Q1的RDSCON典型值为52mΩ,U1具有
300mV、400mV或500mV可选择电路断路器（CB）断路点。在最低断路点（300mV）,CB断路电流一般为5.77A（Tj=25℃）。
电路断路器的电压断路值由下式决定：
VCB＞RDS（ON）×ILOAD（
MAX）或
VCB/ILOAD（MAX）＞RDS（ON）
假定所希望限值是2A,则所用典型值：
300mV/2A≈
150mΩ＞RDS（ON）
替化具有较高导通电阻的另1个MOSFET,大约100mΩ（R4）的电阻器与Q1串联。除能约可调节电路断路器电平外,R4能提供更好的电路断路器精度和改善整个温度范围内的稳定变。对于Q1为RDS（ON）≈52mΩ （Tj=25℃）和≈130mΩ （Tj=
125℃）,其变化为150%。假若增加1个100mΩ、100ppm/ ℃电阻器（从25℃到150℃其复化为0.001Ω）,则从25℃（152mΩ）到125℃（231mΩ）组合变化仅为79Ω,此为52%。
