安森美半导体推出微型封装电压抑制器件
安森美半导体（ONSemiconductor）推出全新高性能、微型封装的静电放电（ESD）保护二极管系列,专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。
新系列中的五个ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。这些器件为钳制快速上升的ESD脉冲而设计,防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kV的输入波形（符合 IEC61000-4-2 标准）将在几纳秒钟内被ESD5Z 系列器件钳制到7V以下 。这些器件尺寸小,便于放置在ESD 可进入系统的输入/输出端口附近,因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下,这些ESD5Z器件的泄漏电流仅为5 纳安（nA）之低,因此是极重要的节电应用的理想选择 。这些器件也适用于保护电压敏感元件,防止电源线上的负载开关产生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒（µsec）的脉冲波形内耗散200 W。
ESD5Z 器件采用超小的SOD-523 封装,尺寸仅为1.6 mm x 0.8 mm x 0.7 mm,是手机、PDA和MP3播放器的理想选择,板面积对这些便携产品来说是极为珍贵的,但ESD却经常发生,所以设计人员考虑到板面积或板布局的因素,不可使用多线保护器件。因此ESD5Z系列为设计者提供了单线保护的最大灵活性。
ESD5Z 系列的性能在多个方面优于常用的多层变阻器（MLV）,同时还保持了尺寸小的优势。器件的最大钳制电压小于MLV的一半,为敏感的集成电路提供了优异的保护。ESD5Z 二极管中关闭状态的泄漏电平为5 nA,电池使用寿命比更高泄漏电平的MLV更具优势。ESD5Z 二极管除了能够多次承受ESD 冲击,还可保持其电气特性。
安森美半导体小信号部总经理Mamoon Rashid说：“因为便携式应用的集成电路越来越小,越来越密集,所以对ESD电压也越来越敏感。安森美半导体将继续在这个极具挑战的应用领域内开发高性能的ESD电压抑制解决方案。”
封装和价格
ESD5Z2.5T1, ESD5Z3.3T1, ESD5Z5.0T1, ESD5Z6.0T1和ESD5Z7.0T1 系列采用SOD-523封装,每10,000件的批量单价为0.038美元。
