意法半导体(ST)在多片封装内组装8颗裸片
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意法半导体(ST)在多片封装内组装8颗裸片  2012/3/1
2005年4月4日存储器和微控制器多片封装技术应用的领导者意法半导体日前宣布该公司已开发出能够叠装多达8颗存储器芯片的高度仅为1.6mm的球栅阵列封装(BGA)技术,这项封装技术还可以将两个存储器芯片组装在一个厚度仅为0.8mm的超薄细节距BGA封装(UFBGA)内,采用这项制造技术生产的器件可以满足手机、数码相机和PDA等体积较小的设备的存储需求。ST的多片封装(MCP)器件内置通常是二到四颗不同类型的存储芯片,如SRAM、闪存或DRAM,这些
      2005年4月4日存储器和微控制器多片封装技术应用的领导者意法半导体日前宣布该公司已开发出能够叠装多达8颗存储器芯片的高度仅为1.6mm的球栅阵列封装(BGA)技术,这项封装技术还可以将两个存储器芯片组装在一个厚度仅为0.8mm的超薄细节距BGA封装(UFBGA)内,采用这项制造技术生产的器件可以满足手机、数码相机和PDA等体积较小的设备的存储需求。
   ST的多片封装(MCP)器件内置通常是二到四颗不同类型的存储芯片,如SRAM、闪存或DRAM,这些器件已经广泛用于空间很宝贵的手机产品中。因为芯片是直接堆叠组装在封装内,所以器件占用的印刷电路板空间与单片器件相同;因为存储芯片使用很多公用信号,如寻址和数据总线,所以封装与电路板之间的连线数量与单片器件也基本相同。
    分立器件的使用允许在相同的占板面积内配备不同类型的甚至采用不同制造工艺的存储器,如NOR闪存和SRAM。其它可以组合的存储器包括NAND闪存和DRAM或者NOR闪存+NAN闪存+SRAM。双片封装可以集成一个ASIC和NAND闪存或NOR闪存和SRAM。
    直到目前,能够切实可行地采用多片封装的芯片的数量还受到单个裸片厚度的限制,采用多片封装的典型应用是对器件总体积的要求与对电路板的要求相同,增加封装高度是无法接受的。ST的新技术充分利用了只有40微米厚的超薄裸片的优势, 只有40微米厚的“中介层”支撑并隔离封装内的每颗裸片。
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