美国国家半导体公司推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器。这款型号为LM3475的控制器芯片采用极小巧的SOT23-5封装,其特点是设有可以简精系统设计的迟滞控制电路。系统设计工程师只要采用这款芯片便无需为系统提供外部补偿,确保多种不同的元件都可稳定操作,而系统则可以作出极快的瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目,将占空度提高至100%,以及操作时只产生极低压降。
这款控制器芯片适用于多种不同的典型应用,其中包括TFT监视器、汽车个人电脑系统、汽车保安导航系统、笔记本电脑后备电源供应器、以电池供电的便携式电子产品以及配电系统。
主要的特色及优点
容易使用的控制方法
可调节的输出电压介于0.8伏(V)与输入电压(VIN)之间
效率高(典型效率高达90%)
±0.9%的反馈电压基准精度(在-40°C至+125°C的温度范围内反馈电压达±1.5%)
占空度可高达100%
最高操作频率高达2MHz
内部软启动功能
使能功效