铁电存储器FM24C256在仪表中的应用
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铁电存储器FM24C256在仪表中的应用  2012/3/1
摘要:FRAM是一种新型存贮器,最大特点是可以随总线速度无限次的擦写,而且功耗低。FRAM性能优越于EEPROMAT24C256。关键词:存贮器;FM24C256;AT24C256;EEPROM一.概述:FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器(FRAM),容量为256KBIT存贮器,它和AT24C256容量等同,总线结构兼容,但FM24C256的性能指标远大于AT24C25
摘要:FRAM 是一种新型存贮器,最大特点是可以随总线速度无限次的擦写,而且功耗低。FRAM性能优越于EEPROM AT24C256

    关键词:存贮器;FM24C256;AT24C256;EEPROM

    一. 概述:

     FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器(FRAM),容量为256KBIT存贮器,它和AT24C256容量等同,总线结构兼容,但FM24C256的性能指标远大于AT24C256。在存贮器领域中,FM24C256应用逐渐被推广和认可,尤其是大容量存贮器,它的优良特性远高于同等容量的EEPROM。在电子式电能表行业中,数据安全保存是最重要的。随着电子表功能的发展,保存的数据量越来越大,这就需要大容量的存储器,而大容量的EEPROM性能指标不是很高,尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256在电能表中的使用,会提高电能表的数据安全存贮特性。

    二. 铁电存贮器(FRAM)FM24C256的特性:

    传统半导体记忆体有两大体系:易失性记忆体(volatile memory)和非易失性记忆体(non-volatile memory)。
易失性记忆体像SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。
非易失性记忆体像EPROM,EEPROM和FLASH能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自ROM技术,所以不难想象得到他们都有不易写入的缺点:写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。

    FM24C256是一个256Kbit 的FRAM,总线频率最高可达1MHz,10亿次以上的读写次数,工耗低。与典型的EEPROM AT24C256相比较,FM24C256可跟随总线速度写入,无须等待时间,而AT24C256必须等待几毫秒(ms)才能进行下一

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