飞兆半导体宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572
飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572,具备综合的性能优势,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷 (Qgd),比相同RDS(on) 级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on) (16毫欧) 特性,其品质因数Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 为120, 比最接近的竞争产品低33％ 之多。FDS3572还具有最佳的总门电荷 (在VGS = 10 V为31nC),有助降低损秏;低QRR (70 nC),可降低反向恢复损耗;以及高雪崩性能 (EAS = 515 mJ),以提高耐用性能。这些产品特性再配合小体积的封装,使得FDS3572成为今日要求严格的电源设计的理想选择。
FDS3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器电路应用,也是初级应用的理想器件,包括低压电信电源、DC/DC转换器、网络和数据通信电源、服务器及采用最新总线转换器拓扑且支持中间母线结构 (IBA) 的调压模块(VRM)。在这些应用中,频率通常高达250KHz,而FDS3572极低的Miller电荷可实现快速切换,从而减少动态损耗;至于其超低门电荷则可通过减少驱动器/PWM控制IC的功耗来提高系统效率。
这种先进的器件还可用于同步整流器,以替代DC/DC转换器次边的传统高压Schottky整流器,输出电压为5V至52V。典型的产品应用包括网络和数据通信DC/DC转换器及笔记本电脑的外部AC/DC适配器。FDS3572的低RDS(on) 特性可将传导损耗控制在允许范围内,并提高笔记本电脑AC/DC适配器的功率密度。功率密度的增强非常重要,因为随着更多多媒体功能集成于便携产品平台上,处理器的功率需求将越来越高。同步整流应用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封装。
飞兆半导体技术市务经理David Grey称：“现今的DC/DC转换器设计者总想在预定的散热限制范围内,在越来越小的空间中尽量提高功率。FDS3572便可满足他们对效率、性能及小尺寸封装的要求,并且能实现极佳的裸片至封装的利用率。”
FDS3572的推出是飞兆半导体落实其业务承诺的又一例证,提供能满足现今市场趋势和需求的产品。飞兆半导体针对DC/DC转换器应用的其它产品还包括光隔离放大器(FOD27XX
