日前在美国所举行有关半导体光刻技术研讨会SPIEMicrolithography中,新墨西哥大学学者宣称,运用湿浸式技术,可望将193纳米光刻设备向下延伸至22纳米工艺以下。据报道,率先采用湿浸式193纳米光刻技术的硅片代工龙头台积电,也于1月底时表示类似看法。分析师指出,SPIE研讨会中的最新发展,不仅确认湿浸式193纳米光刻科技具向下延伸到45纳米工艺结点的解决方案外,更暗示157纳米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技,恐将被迫打入冷宫,事实上
日前在美国所举行有关半导体光刻技术研讨会SPIEMicrolithography中,新墨西哥大学学者宣称,运用湿浸式技术,可望将193纳米光刻设备向下延伸至
22纳米工艺以下。据报道,率先采用湿浸式193纳米光刻技术的硅片代工龙头台积电,也于1月底时表示类似看法。
分析师指出,SPIE研讨会中的最新发展,不仅确认湿浸式193纳米光刻科技具向下延伸到45纳米工艺结点的解决方案外,更暗示157纳米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技,恐将被迫打入冷宫,事实上,荷商ASML日前已暗示该公司将把157纳米光刻科技列为备选方案,而倾全力配合研发深紫外光科技。
在半导体厂商方面,除已明确表态将绕道157纳米光刻技术蓝图,直接从193纳米光刻技术转进深紫外光技术的半导体龙头英特尔（Intel）以外,尚有硅片代工龙头台积电日前表示,将首先采用湿浸式193纳米光刻设备,借以导入先进工艺生产。
然而,仍有德州仪器（
TI）、意法（STMicroelectronics）等半导体厂商认为,157纳米光刻科技仍有可为之处,不仅深紫外光光刻设备的研发恐怕缓不济急,也认为193纳米光刻技术可能无法按照规划向下延伸至先进工艺,不过,夹处两大阵营之间,日子最难过的恐怕仍是光刻设备供应商。
