在举行的2004年国际汽车电子展（Convergence2004）上,英飞凌科技公司（FSE/NYSE股票代码：IFX）推出了两个全新产品家族：一个是功率MOSFET系列,另一个是基于新一代沟槽技术的智能高端开关IC系列。这两个全新的产品系列进一步拓展了英飞凌专为满足汽车电子元件苛刻的环境和运行要求而设计的功率IC产品的范围。在汽车电子领域,英飞凌是公认的全球领导者。此外,英飞凌还为通用汽车电子系统推出了功率MOSFET的OptiMOS-T产品系列,将沟槽
在举行的
2004年国际汽车
电子展（Convergence 2004）上,英飞凌科技公司（FSE/NYSE股票代码：IFX）推出了两个全新产品家族：一个是
功率MOSFET系列,另一个是基于新一代沟槽技术的智能高端
开关IC系列。这两个全新的产品系列进一步拓展了英飞凌专为满足汽车电子元件苛刻的环境和运行要求而设计的功率IC产品的范围。在汽车电子领域,英飞凌是公认的全球领导者。
此外,英飞凌还为通用汽车电子系统推出了功率MOSFET的OptiMOS-T产品系列,将沟槽技术与全绿色封装工艺完美集于一身。与英飞凌OptiMOS平面工艺相比,这种全新的沟槽技术不仅提供同样的坚实耐用性,同时还可实现10倍以上芯片密度的片上集成。英飞凌利用这种更高的逻辑能力设计了PROFET?智能高边开关IC系列,这是世界首例采用沟槽技术的集成式智能开关系列。
英飞凌OptiMOS-T
为了给那些致力于以电子系统替代机械和液压系统的汽车系统工程师提供一个新的设计选择,英飞凌在其MOSFET家族中又推出了一种名为OptiMOS-T的55V沟槽式功率技术。这种OptiMOS-T技术用于在汽车应用中最大限度地减小导通电阻（Rd
son）和传导损耗。根据具体设计的不同,传导损耗的降低将提高冷却风扇等应用的工作效率,从而实现排放量和能耗的降低。例如,如果一辆汽车的能耗减少
100瓦,它每100公里就可以节省0.15升燃料,同时,排放量也会相应减少。
OptiMOS-T家族的首款产品IPB100N06S3L-03是一种采用D2PAK封装的2.7 mohm、55V N沟道MOSFET。在今后几个月,英飞凌将推出一个导通电阻在2.7～25 mohm之间的完整产品系列。
“OptiMOS-T系列所采用的坚固和绿色环保的封装工艺再次证明了英飞凌在汽车功率半导体应用领域的领导地位。这些产品在质量和可靠性方面都超出了客户的期望,同时也更加坚定了英飞凌要将绿色环保技术带入其所有产品的决心,”英飞凌（北美）公司汽车与工业部副总裁Christopher Cook说。
OptiMOS-T家族的所有产品均为无铅型（无铅电镀、绿色环保铸模材料）,这就使汽车电子系统供应商们可以根据现行规定选用无铅产品。OptiMOS-T产品均符合RoHS（有害物质限制使用）和WEEE（报废电子电气设备）规范的要求,且均能保持高达
260°C的回流峰值温度。OptiMOS-T产品坚固和绿色环保的封装还有另一个优点,就是更高的热循环能力。在温度条件极为苛刻的可靠性测试中（根据汽车电子委员会AEC Q 101规定,采用1,000多个温度循环）, 黏晶质量并未降低,热阻也并未升高。
55V OptiMOS-T产品系列中最出色的当为一款采用D2PAK封装、2.7 mohm和一款DPAK 封装、5.2 mohm 的MOSFET。
55V OptiMOS-T产品的封装、价格和上市时间
采用D2PAK 封装的55V OptiMOS-T工程样品已经推出,量产将于2005年中期开始。目前
40V OptiMOS-T 产品家族正在开发当中,用以满足电动助力转向系统、发动机冷却风扇等高功率应用的需要。以1万个的量为标准,这种D2PAK 封装、5 mohm、55V的N沟道OptiMOS-T产品单价为0.90美元。
