适用功率MOSFET封装的选择
随着个人计算机、服务器、网络及电信系统等很多最终设备的功率水平和功率密度的要求持续不断提高,对组成电源管理系统的元部件的性能提出了越来越高的要求。直到最近,硅技术一直是提高电源管理系统性能的最重要因素。然而,过去数年中硅技术的改进已经将MOSFET的RDS(on)和功率半导体的发热量降低到了相当低的水平,以至封装限制了器件性能的提高。随着系统电流要求成指数性增加,市场上已经出现了多种先进的功率MOSFET封装。流行的封装形式包括：DPAK、SO-8、CopperStrap SO-8、PowerPak、LFPAK、DirectFET、iPOWIR等。虽然这些技术提供了更多的设计自由度,但太多的选择也使得人们大感困惑,特别是让那些嵌入式电源的设计者无所适从,他们没有很多资源来试验所有这些不熟悉的器件。本文将对每种封装进行比较,强调各种嵌入式应用的性能差异,力图使元器件的选择变得更为简单。
新型封装技术的需要
考虑到成本和尺寸方面的压力,以及最近12V配电总线架构的采用,嵌入式的负载点(POL)DC/DC电源正变得越来越流行。
由于具有尺寸小、外形薄、标准占用面积、性能不错等特点,标准型焊线式SO-8多年以来一直是嵌入式POL电源的首选。然而,随着MOSFET硅技术的迅速发展,硅器件的RDS(on)开始逼近亚mW水平,而标准的SO-8,由于裸片封装电阻(DFPR)较大,已经成为硅性能发挥的一个瓶颈。
焊线式SO-8的性能受到以下四个因素的严重限制：
封装电阻
典型值1.6mW。在最新器件的总MOSFET RDS(on)中,约50%来自于封装电阻。主要原因是内部源极通过焊线连接到引脚,如图1(a)所示。
