现在盘点2004年半导体技术市场似乎还有一点点早。不过在作今年最后一本杂志时,回想即将过去的一年,似乎浸入式光刻、CMP和FPD是映入我脑海最多的三个技术名词。由于技术研发的成本很大程度上正在由设备厂商承担,对于象Intel这样的领先技术铁杆儿用户去年修改蓝图,放弃157nm,转而使用193nm浸入式光刻,设备厂商似乎只能默默独自承担那笔昂贵的前期研发费用了。而它们的转型速度也非常快。9月,Intel已向ASML发出了定单;10月,AMSL宣布已
现在盘点
2004年半导体技术市场似乎还有一点点早。不过在作今年最后一本杂志时,回想即将过去的一年,似乎浸入式光刻、
CMP和FPD是映入我脑海最多的三个技术名词。
由于技术研发的成本很大程度上正在由设备厂商承担,对于象In
tel这样的领先技术铁杆儿用户去年修改蓝图,放弃157nm,转而使用193nm浸入式光刻,设备厂商似乎只能默默独自承担那笔昂贵的前期研发费用了。而它们的转型速度也非常快。9月,Intel已向ASML发出了定单;
10月,AMSL宣布已有一家美国客户完成了对Twinscan AT:
115i浸入式光刻机的认证,该机台已可以正常工作。同时Nikon也有希望向Intel提供浸入式光刻机,因为Nikon与ASML同样是Intel的主要光刻机供应商。
今年下半年,
IBM已悄无声息的修改了蓝图,将193nm浸入式光刻作为其实现45nm的主导设备。而且IBM正与ASML、TEL和Albany NanoTech共同优化193nm浸入式光刻的工艺和材料。
AMD、Infineon和Micron也已制定了实施193nm 浸入式光刻技术的计划。
对于45nm, 整个业界似乎已放弃了157nm。10月,IMEC宣布已联盟了30家公司,共同开展浸入式光刻技术的研发,其中不乏Intel、
Samsung、
TI、Infineon、STMicroelectronics、
NEC等国际半导体巨头,ASML、Carl Zeiss、 Cymer、KLA-Tencor、 Lam Research.和TEL等设备厂商,AZ、TOK、Photronics和 Mentor Graphics等光刻胶、掩膜版和软件厂商都参与了这项研究。
不过对32nm结点,是EPL还是EUV,或是纳米图形转印技术至今还没有定论。ASML中国区技术行销经理程天风从历史发展的角度分析,认为“光刻可以一直延续”。而作为设备厂商,在不知道下一步的技术路线会走向何方时,技术触角一定是伸向四面八方的。AMSL与Lucent Technologies的贝尔实验室合作,已在无掩膜版光刻技术领域有了突破,这对于ASIC生产和小批量的代工厂来说,甩开掩膜版、降低制造成本的曙光又亮了一点儿。一直只在后道设备领域的东精精密公司在进入前道时,将EPL就作为了一个突破口,认为传统光刻厂商在此并没有优势。
再谈谈CMP,CMP的耗材费用一直是人们不能不关心的问题。今年Applied Materials、Ebara和Novellus这3家CMP领域的竞争对手似乎统一了口径,选择了降低成本作为突破口,新品推出的时间也都选在了7月SEMICON West前后。
作为在
2003年占有65％CMP市场份额的Applied Materials来说,降低耗材费用已成为不得不为之事,因为每次笔者采访其竞争对手,耗材都是被重点“攻击”的对象。此次的Reflexion LK Ecmp系统专为90nm、65nm和45nm的铜/低k材料设计,采用低成本的电解液替代昂贵的铜研磨浆。据Applied Materials项目经理Robert Ewald介绍,新设备可节约30％的耗材成本,而且下压力小于0.2
psi。
Ebara的新一代CMP有两款,FREX200和FREX
300,其设计采用两个研磨头和平台,将产能提高了
40％。Novellus的新一代产品Xceda有4个抛光
模块,其通
