2004年6月A版 

就低电压高电流电源应用而言,开关式电源栅极驱动要求特别重要。由于几个MOSFET器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求,因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案就变的不再可行。MOSFET并联可降低漏极到源极的导通电阻,并减少传导损耗。但是,随着并联器件的增多,栅极充电的要求也迅速提高。由于MOSFET的内部阻抗大大低于驱动级,因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗,其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此,许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地满足更高的栅极充电要求。

为了解决该问题,业界近期提供了更多的高级MOSFET驱动器产品。许多新产品都包括大大高于单片解决方案所提供的驱动电流功能。驱动器集成电路放置得离MOSFET栅极越近,更高的驱动电流驱动并联MOSFET的效率就越高。除了驱动电流增大外,现在的许多高级MOSFET驱动器还采用先进的技术以精确控制两个开关之间的计时,就好像同步降压应用中所采用的那样。

使用带有独立的PWM控制器的外部MOSFET驱动器,这有助于电源设计人员获得必需的灵活性,能够满足上述低电压、高电流电源转换器对高性能栅极驱动所提出的要求。由于现有的PWM控制器与驱动器品种丰富,因此采用上述方法所能实现的特性组合似乎无穷无尽。

随着输出电压接近低于1V电平,电源控制集成电路制造商推出了包括内部低电压参考的产品,以适应新情况的要求。但是,如果某位设计人员希望既采用高性能驱动器,又使用包括的内部参考高于反馈电压的PWM,那该怎么办呢？换言之,调节输出电压为1V的情况通常都需要1V或更低的参考电压,由PWM内部误差信号放大器的同相输入提供。

应用电路(见图1)提出了一种备用方法,可反馈低于PWM参考电压的输出电压。正常情况下,输出电压高于误差信号放大器的参考,因此VOUT与接地之间简单的电阻分压器会将调节电压设置在PWM误差信号放大器的同相输入的水平上。但是,当VOUT低于误差信号放大器参考电压时,反馈电压必须分压,而不是下降。分压意味着必须从另一个调节电压源添加一些额外的电压至反馈电压。

UCC3803在引脚8上提供4V的内部电压参考。此外,在PWM误差信号放大器的同相输入上的内部电压为VREF/2,或2V。通过R1反馈100%的