碳纳米管提升了功率半导体器件的性能
---Infineon Technologies AG公司（位于德国慕尼黑）的研究人员已制作成功首款采用碳纳米管的功率半导体器件,在此之前人们一直认为这种器件不适合于功率应用中所使用的高电压和高电流。采用常规化学汽相淀积工艺生产的这种纳米管过去曾被用来试制功率晶体管。
---被用作LED或电机控制开关的这种试制器件由大约300个并行排列的纳米管组成,它能够在2.5V电压条件下提供2mA的电流。虽然人们已经在研究实验室里采用纳米管来制作电脑芯片用的晶体管,但这种场合中的电压则低了大约1000倍。研究小组的实验结果表明：采用碳纳米管制作的功率晶体管的开关电阻典型值比传统的晶体管低大约20倍,从而降低了功耗。
---研究人员还证实基于碳的晶体管能够承受比硅器件高200倍左右的电流密度。此外,该试制品还具有制造工艺简单,开关速度快及散热低的特点。
---该试制品目前尚处研究阶段,何时开始规模生产还不明朗。如欲了解更多的信息,请致电Infineon Technologies公司的Christoph Liedtke,电子邮件christoph.liedtke@infineon.com。
