意法半导体日前推出一个N沟道场效应MOS晶体管,新产品用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。>STx9NK60ZD是率先采用了SuperFREDMeshTM新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH™上实现了一个新载流子寿命控制过程,新器件不仅展现出优异的动态性能,而且还优化了体二极管的反向恢复时间(trr),具有优异的软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。采用SuperFREDMesh制
意法半导体日前推出一个N沟道场效应MOS晶体管,新产品用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。
>STx9NK60ZD是率先采用了SuperFREDMesh
TM新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH™上实现了一个新载流子寿命控制过程,新器件不仅展现出优异的动态性能,而且还优化了体
二极管的反向恢复时间(
trr),具有优异的软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。
采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻,执行齐纳二极管栅保护,提高dv/dt处理能力和成本竞争力。
这个器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流,典型导通电阻RDS(on) 0.85欧姆。STF9NK60ZD可以处理最高30W的功率,而STB9NK60ZD和STP9NK60ZD的最高功率为120W。
新器件的雪崩测试率为100%,目前所选封装为TO-220、TO-220FP和D2PAK。
订购10万件的美国市场单价为0.80美元
