英特尔日前宣布,已经投资20亿美元改造其位于美国的Fab12,Fab12目前是一家200mm晶圆制造厂,改造完成后将成为一家300mm晶圆的生产厂,并同时成为英特尔的第五家300mm晶圆生产厂。预计改造工程将在2005年底完成,新厂将采用65nm工艺生产。据介绍,65nm工艺将采用英特尔最新的晶体管、应变硅技术(strainedsilicon)和铜连线以及新的低功耗电介质等。其中,晶体管的选通脉冲宽度只有35nm,而strainedsilicon据称可以提供更高的驱动电流,能在生
英特尔日前宣布,已经投资20亿美元改造其位于美国的Fab12,Fab12目前是一家
200mm晶圆制造厂,改造完成后将成为一家
300mm晶圆的生产厂,并同时成为英特尔的第五家300mm晶圆生产厂。预计改造工程将在2005年底完成,新厂将采用65nm工艺生产。 据介绍,65nm工艺将采用英特尔最新的晶体管、应变硅技术(strained silicon)和铜连线以及新的低功耗电介质等。其中,晶体管的选通脉冲宽度只有35nm,而strained silicon据称可以提供更高的驱动
电流,能在生产工艺只增加2%的前提下大幅提高晶体管的性能。 英特尔表示,65nm工艺还集成了8层铜连接层,并且使用了一种低功耗的电介质,可以提高芯片内部信号传输的速度,同时降低芯片的功耗。
