数据列表 | ZXTD09N50DE6 |
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产品相片 | SOT-23-6 |
其它图纸 | SOT-23-6 Top |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 270mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
频率 - 跃迁 | 215MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-23-6 |
产品目录页面 | 1470 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | ZXTD09N50DE6TR |