数据列表 | ZXT12N20DX |
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产品相片 | 8-MSOP |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 200mV @ 50mA,3.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 1.04W |
频率 - 跃迁 | 112MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-MSOP |