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ZXMS6004DT8T
- MOSFET,IntelliFET,N沟道,60V,1.2A,0.5R,SM8 - ZXMS6004DT8T
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ZXMS6004DT8T
制造商型号:
ZXMS6004DT8T
制造商:
Diodes/Zetex
描述:
MOSFET,IntelliFET,N沟道,60V,1.2A,0.5R,SM8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间
45000 ns
典型接通延迟时间
5000 ns
安装类型
表面贴装
宽度
3.95mm
封装类型
SM8
尺寸
4.95 x 3.95 x 1.5mm
引脚数目
8
最低工作温度
-40 °C
最大功率耗散
2.13 W
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
600 mΩ
最大连续漏极电流
1.2 A
最高工作温度
+125 °C
每片芯片元件数目
2
类别
MOSFET 驱动器
通道模式
增强
通道类型
N
配置
双、双漏极
长度
4.95mm
高度
1.5mm
手机网站相关详细信息:
ZXMS6004DT8T
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
ZXMS6004DT8T
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: ZXMS6004DT8T 品牌: Diodes/Zetex 备注: MOSFET,IntelliFET,N沟道,60V,1.2A,0.5R,SM8
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Q Q:
800152669
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