典型关断延迟时间 | 29.2 ns | |
典型接通延迟时间 | 1.74 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 15.8 nC V @ -10 | |
典型输入电容值@Vds | 630 pF V @ -15 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SO-8 | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.1 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | -30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.11 Ω | |
最大连续漏极电流 | -4.4 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |