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ZXMN6A25DN8
- 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 - ZXMN6A25DN8
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ZXMN6A25DN8
制造商型号:
ZXMN6A25DN8
制造商:
Diodes Inc
描述:
场效应管 MOSFET N DUAL SO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
晶体管极性:?频道
电流, Id 连续: 4.7A
电压, Vds 最大: 60V
在电阻RDS(上): 55mohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 1.25W
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2011)
SMD标号: ZXMN6A25D
功率, Pd: 1.25W
封装类型: SO-8 (SOIC-8)
总功率, Ptot: 1.8W
晶体管数: 2
温度 @ 电流测量: 25°C
电流, Idm 脉冲: 22A
结温, Tj 最低: -55°C
结温, Tj 最高: 150°C
表面安装器件: 表面安装
通态电阻, Rds on 最大: 55mohm
阈值电压, Vgs th 最低: 1V
产地: GB United Kingdom
手机网站相关详细信息:
ZXMN6A25DN8
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
ZXMN6A25DN8
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: ZXMN6A25DN8 品牌: Diodes Inc 备注: 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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