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ZXMN3A04DN8|Diodes Inc
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ZXMN3A04DN8
制造商型号： ZXMN3A04DN8
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N 双 SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 双 SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 7.6A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 25mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 2.15W
  • 工作温???最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: ZXMN3A04D
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 总功率, Ptot: 1.25W
  • 晶体管数: 2
  • 模块配置: 双
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 8.5A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电流, Idm 脉冲: 25A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 8.5A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.02ohm
  • 通态电阻最大值: 25mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
产地： GB United Kingdom

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