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ZXMN2B01F|Diodes Inc
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ZXMN2B01F
制造商型号： ZXMN2B01F
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 2.4A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 100mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 806mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 625mW
  • 功耗, Pd: 806mW
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, t off: 17.8ns
  • 时间, t on: 2.2ns
  • 时间, trr 典型值: 6.7ns
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 4.8nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 2.4A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道: 4.5V
  • 电压, Vgs 最高: 8V
  • 电容值, Ciss 典型值: 370pF
  • 电流, Idm 脉冲: 11.8A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1V
产地： GB United Kingdom

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