| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Inc | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ZXMN10B08E6TA Diodes Inc | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6  | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： ZXMN10B08E6TA 品牌： DiodesZetex 库存编号： 669-7420 | 搜索 |
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 | Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26 型号：ZXMN10B08E6TA 仓库库存编号：ZXMN10B08E6CT-ND 别名：ZXMN10B08E6CT <br> | | 搜索 |
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 | Diodes Inc MOSFET N-Channel 100V 1.9A SOT23-6 型号：ZXMN10B08E6TA 仓库库存编号：70438813 |  | 搜索 |
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 | ZXMN10B08E6TA Diodes/Zetex | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | 查价格库存 查看详细 |
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| ZXMN10B08E6TA Diodes Inc | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | 查价格库存 查看详细 |
 | ZXMN10B08E6TA Diodes Inc. / Zetex | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | ZXMN10B08E6 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-6 |
| 其它图纸 | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 230 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 497pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 产品目录页面 | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXMN10B08E6TR |
