ZXMN10A08E6T,ZXMN10A08E6T|Diodes/Zetex代理分销-ZXMN10A08E6T原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.2 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 405 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.75mm | |
| 封装类型 | SOT-23-6 | |
| 尺寸 | 3 x 1.75 x 1.3mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.3mm |
