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无图ZXMN10A08E6T
Diodes/Zetex
MOSFET,N沟道,100V,1.9A,SOT23-6
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ZXMN10A08E6TA|Diodes IncZXMN10A08E6TA
Diodes Inc
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
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MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6
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Diodes Inc. / Zetex
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Diodes Incorporated - ZXMN10A08E6TA - MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26

型号:ZXMN10A08E6TA
仓库库存编号:ZXMN10A08E6CT-ND
别名:ZXMN10A08E6CT <br>

无铅
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Diodes Inc - ZXMN10A08E6TA - MOSFET N-Channel 100V 1.9A SOT23-6|70438808 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
MOSFET N-Channel 100V 1.9A SOT23-6


型号:ZXMN10A08E6TA
仓库库存编号:70438808

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

DiodesZetex - ZXMN10A08E6TA - DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A08E6TA, 1.9 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
ZXMN10A08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8033
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMN10A08E6T
制造商型号: ZXMN10A08E6T
制造商: Diodes/Zetex
描述: MOSFET,N沟道,100V,1.9A,SOT23-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间8 ns
典型接通延迟时间3.4 ns
典型栅极电荷@Vgs4.2 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds405 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度1.75mm
封装类型SOT-23-6
尺寸3 x 1.75 x 1.3mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.7 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.3 Ω
最大连续漏极电流1.9 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单
长度3mm
高度1.3mm

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