| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| ZXMN10A08E6T | Diodes/Zetex | MOSFET，N沟道，100V，1.9A，SOT23-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ZXMN10A08E6T Diodes/Zetex | MOSFET，N沟道，100V，1.9A，SOT23-6 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | ZXMN10A08E6TA Diodes Inc | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | 查价格库存 查看详细 |
| ZXMN10A08E6TC Diodes Inc | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26 型号：ZXMN10A08E6TA 仓库库存编号：ZXMN10A08E6CT-ND 别名：ZXMN10A08E6CT <br> | | 搜索 |
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 | Diodes Inc MOSFET N-Channel 100V 1.9A SOT23-6 型号：ZXMN10A08E6TA 仓库库存编号：70438808 |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： ZXMN10A08E6TA 品牌： DiodesZetex 库存编号： 922-8033 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.2 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 405 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.75mm | |
| 封装类型 | SOT-23-6 | |
| 尺寸 | 3 x 1.75 x 1.3mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.3mm |
