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ZXMC3A17DN8 Diodes Inc. / Zetex MOSFET N and P Channel 查看库存、价格及货期
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Diodes Incorporated - ZXMC3A17DN8TA - MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SO

型号:ZXMC3A17DN8TA
仓库库存编号:ZXMC3A17DN8CT-ND
别名:ZXMC3A17DN8CT <br>ZXMC3A17DN8TA-ND <br>

无铅
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ZXMC3A17DN8TA
DIODES INC. ZXMC3A17DN8TA
1471154

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.4 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 1 V

(EN)
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ZXMC3A17DN8TA
DIODES INC. ZXMC3A17DN8TA
1471154RL

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.4 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 1 V

(EN)
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Diodes Inc - ZXMC3A17DN8TA - SO8 30V Enhance Dual N P channel MOSFET|70438796 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
MOSFET, N P channel, Dual, Enhance, 30V, SO8


型号:ZXMC3A17DN8TA
仓库库存编号:70438796

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DiodesZetex - ZXMC3A17DN8TA - DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET ZXMC3A17DN8TA, 4.4 A,5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
ZXMC3A17DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-3400
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ZXMC3A17DN8|Diodes Inc. / ZetexZXMC3A17DN8
Diodes Inc. / Zetex
MOSFET N and P Channel
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无图ZXMC3A17DN8T
Diodes/Zetex
MOSFET,N P 通道,双路,增强,30V,SO8
Rohs

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ZXMC3A17DN8TA|Diodes IncZXMC3A17DN8TA
Diodes Inc
MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
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ZXMC3A17DN8TC|Diodes Inc. / ZetexZXMC3A17DN8TC
Diodes Inc. / Zetex
MOSFET 30V Enhancement Mode
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ZXMC3A17DN8TA|Diodes/ZetexZXMC3A17DN8TA
Diodes/Zetex
MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
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ZXMC3A17DN8TC|Diodes/ZetexZXMC3A17DN8TC
Diodes/Zetex
MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
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ZXMC3A17DN8|Diodes Inc. / ZetexZXMC3A17DN8
Diodes Inc. / Zetex
MOSFET N and P Channel
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Diodes Inc
MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
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Diodes Inc. / Zetex
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ZXMC3A17DN8|Diodes Inc. / Zetex
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMC3A17DN8
制造商型号: ZXMC3A17DN8
制造商: Diodes Inc. / Zetex
描述: MOSFET N and P Channel
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
制造商:Diodes Inc.
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:5.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):65 mOhms
配置:Dual Dual Drain
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
封装:Reel
下降时间:6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.25 W
上升时间:6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
工厂包装数量:500
典型关闭延迟时间:16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel

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