ZXM62N03GTA,ZXM62N03GTA|Diodes Inc代理分销-ZXM62N03GTA原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | ZXM62N03GTA |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 其它图纸 | SOT-223 Footprint |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.4A （Ta）， 4.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 110 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 产品目录页面 | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXM62N03GTR |
