型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
ZVP2110GTA | Diodes Inc | MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 详细描述:表面贴装 P 沟道 310mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223 型号:ZVP2110GTA 仓库库存编号:ZVP2110GCT-ND 别名:ZVP2110G <br>ZVP2110GCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: ZVP2110GTA 品牌: DiodesZetex 库存编号: 823-1845 | 搜索 |
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![]() | Diodes Inc P-Channel Enhancement DMOS FET SOT-223 型号:ZVP2110GTA 仓库库存编号:70550614 | ![]() | 搜索 |
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数据列表 | ZVP2110G |
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产品相片 | SOT223-3L |
其它图纸 | SOT-223 Footprint |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 310mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8 欧姆 @ 375mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 100pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
产品目录页面 | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | ZVP2110GTR |