| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| ZVNL120GTC | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN 200V SOT223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ZVNL120GTC Diodes Inc | MOSFET N-CHAN 200V SOT223  | 查价格库存 查看详细 |
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 | ZVNL120GTC Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN 200V SOT223 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | ZVNL120G |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 320mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 250mA，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
