典型关断延迟时间 | 37(N 通道)ns,53(P 通道)ns | |
典型接通延迟时间 | 11(N 通道)ns, 11(P 通道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ -10 V(P 沟道),8.5 nC @ 10 V(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 370 pF @10 V(N 沟道),510 pF @-10 V(P 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2.3mm | |
封装类型 | VEC 8 | |
尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.75mm | |
引脚数目 | 8 | |
最大功率耗散 | 1 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30(N 通道)V,-30(P 通道)V | |
最大漏源电阻值 | 168(P 通道)mΩ,99(N 通道)mΩ | |
最大连续漏极电流 | -3(P 通道)A,4(N 通道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 通用 | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 2.9mm | |
高度 | 0.75mm |