US6M1TR,US6M1TR|ROHM代理分销-US6M1TR原装现货,PDF下载
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50个仓库,1500万条库存数据任选
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:US6M1CT-ND
ROHM Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT611776
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
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US6M1TR
库存编号:US6M1DKR-ND
ROHM Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT611776
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10+
100+
500+
1000+
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¥6.4
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6-10天购买 购买
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US6M1TR
库存编号:US6M1TR-ND
ROHM Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT69000
3000起订
3000+
6000+
9000+
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:755-US6M1TR
ROHM Semiconductor MOSFETs N+P 30 20V 1A7361
1起订
1+
10+
100+
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1000+
3000+
6000+
9000+
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6-10天购买 购买
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  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:US6M1TR
ROHM Semiconductor Semiconductors8480
5起订
5+
50+
100+
200+
500+
1000+
3000+
6000+
12000+
24000+
¥5.42
¥4.66
¥3.24
¥3.22
¥2.7
¥2.62
¥2.61
¥2.55
¥2.49
¥2.43
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  日本2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:30590480
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R0
235起订
235+
¥4.15
1-2周询价 询价
US6M1TR
库存编号:63380542
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R0
317起订
317+
¥5.2
1-2周询价 询价
US6M1TR
库存编号:65027832
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R0
317起订
317+
¥5.2
1-2周询价 询价
US6M1TR
库存编号:62440410
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R0
317起订
317+
¥5.2
1-2周询价 询价
  新加坡3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:1525602
ROHM Semiconductor , MOSFET, , N&P, 2.5V/4V, TUMT60
5起订
5+
10+
100+
500+
1000+
5000+
¥5.75
¥5.01
¥3.43
¥2.94
¥2.69
¥2.69
1-2周询价 询价
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  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR
库存编号:US6M1TR
ROHM Semiconductor Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 30/-20V, 1.4/-1A, Idm: 4÷5.6A, 1W0
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
3000+
¥5.88
¥3.95
¥2.94
¥2.56
¥2.42
¥2.41
1-3周询价 询价
  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
US6M1TR ROHM Semiconductor  
9560
1起订
1+
2779+
5953+
¥13.17
¥4.61
¥3.95
1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
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货期
(工作日)
操作
US6M1TR ROHM ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6 查看库存、价格及货期
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US6M1TR|ROHMUS6M1TR
ROHM
???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
Rohs

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US6M1TR|Rohm SemiconductorUS6M1TR
Rohm Semiconductor
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
US6M1TR|ROHMUS6M1TR
ROHM
???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
Rohs

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US6M1TR|Rohm SemiconductorUS6M1TR
Rohm Semiconductor
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
Rohs

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Rohm Semiconductor - US6M1TR - MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6

型号:US6M1TR
仓库库存编号:US6M1CT-ND
别名:US6M1CT <br>

无铅
搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
US6M1TR
ROHM US6M1TR
1525602

ROHM

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 380 mohm, 10 V, 2.5 V

(EN)
搜索
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ROHM Semiconductor - US6M1TR - 6-Pin TUMT 30V 20V 1.4 A 1 A ROHM US6M1TR Dual N/P-channel MOSFET Transistor|70666539 | ChuangWei Electronics
ROHM Semiconductor
ROHM US6M1TR Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 1 A, 1.4 A, 20V, 30V, 6-Pin TUMT


型号:US6M1TR
仓库库存编号:70666539

搜索
US6M1TR|ROHM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
US6M1TR
制造商型号: US6M1TR
制造商: ROHM
描述: ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 380mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
  • 功耗, Pd: 1W
  • 封装类型: TUMT
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 6ns
  • 下降时间: 8ns
  • 功耗, Pd: 1W
  • 功耗, Pd: 1W
  • 封装/箱盒: TUMT6
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 1.4A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电容值, Ciss 典型值: 70pF
  • 电流, Idm 脉冲: 4A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 1.4A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: 1A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.17ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.28ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
产地: TH Thailand

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