标准包装 : | 3,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 27 毫欧 @ 3A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 6A, 5A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 14nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 748pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC (0.173", 4.40mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-PSOP |
包装 : | 带卷 (TR) |