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| UNR51A1G0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | TRANS PNP W/RES 35HFE S-MINI 3P | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 型号：UNR51A1G0L 仓库库存编号：UNR51A1G0LCT-ND 别名：UNR51A1G0LCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | UNR51A1G0L View all Specifications |
|---|---|
| 产品相片 | SMINI3-F1 |
| 产品目录绘图 | UNR5xA Series Top |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-85 |
| 供应商器件封装 | S迷你型3-F2 |
| 产品目录页面 | 1490 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | UNR51A1G0LTR |
