型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
UNR211100L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | TRANS PNP W/RES 35 HFE MINI 3P | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 型号:UNR211100L 仓库库存编号:UNR211100LCT-ND 别名:UN2111 UN2111CT UN2111CT-ND UNR211100LCT | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | UNR211100L View all Specifications |
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产品相片 | SOT-23-3 |
产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 80MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 迷你型3-G1 |
其它名称 | UN2111-(TX) UN2111-TX UN2111TR UN2111TR-ND UNR211100LTR |