| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| TPH5R906NH%2CL1Q | Toshiba | MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | TPH5R906NH L1Q Toshiba | MOSFET N-Ch 60V FET 28A 57W 2340pF 38nC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV 详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5） 型号：TPH5R906NH,L1Q 仓库库存编号：TPH5R906NHL1QCT-ND 别名：TPH5R906NHL1QCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | TPH5R906NH |
|---|---|
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 28A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.9 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3100pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 57W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH5R906NHL1Q TPH5R906NHL1QTR |
