典型关断延迟时间 | 133 ns | |
典型接通延迟时间 | 14 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ -10 V | |
典型输入电容值@Vds | 870 pF @ -10 V | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2.4mm | |
封装类型 | 2-3V1S | |
尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
引脚数目 | 8 | |
最大功率耗散 | 1.68 W | |
最大栅源电压 | -25 → +20 V | |
最大漏源电压 | -30 V | |
最大漏源电阻值 | 44 mΩ | |
最大连续漏极电流 | -5.2 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 四漏极、三源 | |
长度 | 2.9mm | |
高度 | 0.8mm |