| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TPCF8B01(TE85L,F,M [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET MOSFET P-Ch SBD 20V 2.7A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TPCF8B01(TE85L,F) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-Pin VS T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| TPCF8B01%28TE85L%29 | Toshiba | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 330mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5) 型号：TPCF8B01(TE85L,F,M 仓库库存编号：TPCF8B01(TE85LFMCT-ND 别名：TPCF8B01(TE85LFMCT TPCF8B01FCT TPCF8B01FCT-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | TPCF8B01(TE85L F M Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch SBD 20V 2.7A 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| TPCF8B01(TE85L F) Toshiba | MOSFET PW TR with SBD P-Ch -20V -2.7A 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | TPCF8B01 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品目录绘图 | TPC8A, TCP8B Series Side TPC8A, TCP8B Series Top |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 110 毫欧 @ 1.4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | VS-8（2.9x1.9） |
| 其它名称 | TPCF8B01(TE84L) TPCF8B01TR |
