TPC8212-H(TE12LQ,M,TPC8212-H(TE12LQ,M|Toshiba代理分销-TPC8212HTE12LQM原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | TPC8212-H Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 21 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 840pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 750mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
