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产品信息

	典型栅极电荷@Vgs	13 nC V @ 5, 23 nC V @ 10
	典型输入电容值@Vds	1395 pF V @ 10
	安装类型	表面贴装
	宽度	4.4mm
	封装类型	SOP
	尺寸	5 x 4.4 x 1.5mm
	引脚数目	8
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	1900 mW
	最大栅源电压	±20 V
	最大漏源电压	30 V
	最大漏源电阻值	0.009 Ω
	最大连续漏极电流	13 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	1
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	配置	四漏极、单、三源
	长度	5mm
	高度	1.5mm

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• 型号: TPC8020-H(Q 品牌: Toshiba 备注: TPC8020-H(Q)

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