典型栅极电荷@Vgs | 19 nC V @ 5 | |
典型输入电容值@Vds | 1430 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.6mm | |
封装类型 | TSSOP,VS | |
尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.7mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2200 mW | |
最大栅源电压 | ±8 V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大漏源电阻值 | 0.04 Ω | |
最大连续漏极电流 | 5.5 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 四漏极、单 | |
长度 | 2.9mm | |
高度 | 0.7mm |