| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| TPC6104%28TE85L%2CF%2CM%29 | Toshiba | MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8） 型号：TPC6104(TE85L,F,M) 仓库库存编号：TPC6104(TE85L,F,M)-ND |  | 搜索 |
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 | TPC6104(TE85L F M) Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 20V 4.5A Rdson=0.04Ohm 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | TPC6104 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 40 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1430pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | VS-6（2.9x2.8） |
