型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TPC6012(TE85L,F,M) | Toshiba | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 | 查看库存、价格及货期 |
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TPC6012(TE85L F M) Toshiba | MOSFET N-Ch 20V FET 6A 2.2W 630pF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 6A VS6 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8) 型号:TPC6012(TE85L,F,M) 仓库库存编号:TPC6012(TE85LFM)-ND 别名:TPC6012(TE85LFM) TPC6012TE85LFM | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | TPC6012 Mosfets Prod Guide |
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标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 20 毫欧 @ 3A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 200µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 630pF @ 10V |
功率 - 最大值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | VS-6(2.9x2.8) |
其它名称 | TPC6012(TE85LFM) TPC6012TE85LFM |