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TK70D06J1(Q) [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET MOSFET N-Ch, 60V, 70A, TO-220ABL(W) RoHS: Compliant | 搜索 |
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TK70D06J1(Q) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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TK70D06J1%28Q%29 | Toshiba | MOSFET N-CH 60V 70A TO220W | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 70A TO220W 详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Ta) 45W(Tc) TO-220(W) 型号:TK70D06J1(Q) 仓库库存编号:TK70D06J1(Q)-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | TK70D06J1 |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 70A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.4 毫欧 @ 35A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5450pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 140W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220(W) |