型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba | MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba | MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba | MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DP 型号:TK40P03M1(T6RSS-Q) 仓库库存编号:TK40P03M1(T6RSS-Q)-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | TK40P03M1 Mosfets Prod Guide |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 10.8 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1150pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 33W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DP |