TK16G60W,RVQ,TK16G60W,RVQ|Toshiba代理分销-TK16G60WRVQ原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | TK16G60W |
|---|---|
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 15.8A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 790µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 300V |
| 功率 - 最大值 | 130W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | TK16G60WRVQTR |
